감지 거리: 0.2" (5.08mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.118" (3mm), 감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 방법: Reflective, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 전류-수집기 (Ic) (최대): 40mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
감지 거리: 0.168" (4.27mm), 감지 방법: Reflective, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Photodiode,
감지 거리: 0.168" (4.27mm), 감지 방법: Reflective, 전류-수집기 (Ic) (최대): 8mA, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 출력 유형: Phototransistor,
