다이오드 구성: 3 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 3 Common Cathode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 3 Common Anode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 3 Common Anode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 3 Common Cathode, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 5A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
다이오드 구성: 3 Independent, 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky, 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V, 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 10A, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A, 속도: No Recovery Time > 500mA (Io),
