FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 415V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,
FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,