프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.4ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 논리 요소 / 블록 수: 570, 매크로 셀 수: 440,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 35, 매크로 셀 수: 560, 게이트 수: 12000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 2, 매크로 셀 수: 32, 게이트 수: 600,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.5ns, 전압 공급-내부: 2.375V ~ 2.625V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 10000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 10, 매크로 셀 수: 160, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 4.0ns, 전압 공급-내부: 2.375V ~ 2.625V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 12, 매크로 셀 수: 192, 게이트 수: 3750,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 2.375V ~ 2.625V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1250,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 10, 매크로 셀 수: 160, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1250,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1250,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 2.375V ~ 2.625V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 5.4ns, 전압 공급-내부: 1.71V ~ 1.89V, 논리 요소 / 블록 수: 570, 매크로 셀 수: 440,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 10, 매크로 셀 수: 160, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1250,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 20.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 30, 매크로 셀 수: 480, 게이트 수: 10000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 4.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 4, 매크로 셀 수: 64, 게이트 수: 1250,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 20, 매크로 셀 수: 320, 게이트 수: 6000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.0ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 10000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 15.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 25, 매크로 셀 수: 400, 게이트 수: 8000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 6.2ns, 전압 공급-내부: 2.5V, 3.3V, 논리 요소 / 블록 수: 1270, 매크로 셀 수: 980,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 12.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 10, 매크로 셀 수: 160, 게이트 수: 3200,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 16, 매크로 셀 수: 256, 게이트 수: 5000,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 2.375V ~ 2.625V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 10000,
프로그래밍 가능 유형: EE PLD, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 10.0ns, 전압 공급-내부: 4.75V ~ 5.25V, 논리 요소 / 블록 수: 8, 매크로 셀 수: 128, 게이트 수: 2500,
프로그래밍 가능 유형: In System Programmable, 지연 시간 tpd (1) 최대: 7.5ns, 전압 공급-내부: 3V ~ 3.6V, 논리 요소 / 블록 수: 32, 매크로 셀 수: 512, 게이트 수: 10000,
