메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 3Mb (128K x 24), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, 메모리 크기: 2Gb (64M x 32), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16), 클록 주파수: 933MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16), 클록 주파수: 800MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 4Mb (128K x 32), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 4Mb (128K x 32), 클록 주파수: 117MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 533MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, 메모리 크기: 2Gb (64M x 32), 클록 주파수: 533MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3L, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 200MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 143MHz,
