메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 2Mb (256K x 8), 클록 주파수: 80MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 400µs,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 9Mb (256K x 36), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 256Mb (32M x 8), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 117MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 576Mb (16M x 36), 클록 주파수: 400MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 117MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 576Mb (32M x 18), 클록 주파수: 400MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (1M x 18), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 9Mb (256K x 36), 클록 주파수: 117MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 128Mb (8M x 16), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 166MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (64M x 8), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 64Mb (2M x 32), 클록 주파수: 143MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM, 메모리 크기: 288Mb (16M x 18), 클록 주파수: 300MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 9Mb (512K x 18), 클록 주파수: 200MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: DRAM - EDO, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16),
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,
메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 클록 주파수: 104MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1ms,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile, 메모리 크기: 256Mb (8M x 32), 클록 주파수: 133MHz,
메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 36Mb (2M x 18), 클록 주파수: 117MHz,
