기억

IS66WV51216DBLL-55TLI

IS66WV51216DBLL-55TLI

부품 재고: 3952

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

위시리스트
IS46TR16256A-15HBLA1

IS46TR16256A-15HBLA1

부품 재고: 4281

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR3, 메모리 크기: 4Gb (256M x 16), 클록 주파수: 667MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS25LQ016B-JLLE

IS25LQ016B-JLLE

부품 재고: 2318

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 클록 주파수: 104MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1ms,

위시리스트
IS43DR16128A-3DBLI-TR

IS43DR16128A-3DBLI-TR

부품 재고: 4270

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS43DR16128B-3DBL-TR

IS43DR16128B-3DBL-TR

부품 재고: 2561

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS43LD16640A-25BLI

IS43LD16640A-25BLI

부품 재고: 1909

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR

IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR

부품 재고: 5355

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 18Mb (512K x 36), 클록 주파수: 133MHz,

위시리스트
IS43LD32320A-3BLI

IS43LD32320A-3BLI

부품 재고: 2119

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (32M x 32), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS43DR16128A-3DBL

IS43DR16128A-3DBL

부품 재고: 4383

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - DDR2, 메모리 크기: 2Gb (128M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS43LD32320A-3BL-TR

IS43LD32320A-3BL-TR

부품 재고: 2157

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (32M x 32), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS64WV102416BLL-10MA3

IS64WV102416BLL-10MA3

부품 재고: 6462

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

위시리스트
IS65WV1288DBLL-45TLA3

IS65WV1288DBLL-45TLA3

부품 재고: 3865

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

위시리스트
IS61LPD25636A-200TQLI

IS61LPD25636A-200TQLI

부품 재고: 5147

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 9Mb (256K x 36), 클록 주파수: 200MHz,

위시리스트
IS45S16320F-6TLA1

IS45S16320F-6TLA1

부품 재고: 4472

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 167MHz,

위시리스트
IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR

IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR

부품 재고: 3926

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 1Mb (128K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns,

위시리스트
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR

부품 재고: 4333

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

위시리스트
IS66WV51216DBLL-70BLI-TR

IS66WV51216DBLL-70BLI-TR

부품 재고: 4094

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
IS43LD16640A-25BLI-TR

IS43LD16640A-25BLI-TR

부품 재고: 2090

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR

부품 재고: 4298

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR

IS66WV51216DBLL-70TLI-TR

부품 재고: 4150

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
IS66WVE1M16BLL-55BLI

IS66WVE1M16BLL-55BLI

부품 재고: 4254

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

위시리스트
IS64WV10248EDBLL-10BLA3

IS64WV10248EDBLL-10BLA3

부품 재고: 124

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

위시리스트
IS42S32160F-6TLI

IS42S32160F-6TLI

부품 재고: 4584

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (16M x 32), 클록 주파수: 167MHz,

위시리스트
IS42S16320D-7BLI

IS42S16320D-7BLI

부품 재고: 4294

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 143MHz,

위시리스트
IS42S16320F-6BLI

IS42S16320F-6BLI

부품 재고: 4800

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM, 메모리 크기: 512Mb (32M x 16), 클록 주파수: 167MHz,

위시리스트
IS25LP064-JKLE

IS25LP064-JKLE

부품 재고: 2304

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 64Mb (8M x 8), 클록 주파수: 133MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 800µs,

위시리스트
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

부품 재고: 3946

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 8Mb (512K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

위시리스트
IS61NLF51218A-7.5TQLI

IS61NLF51218A-7.5TQLI

부품 재고: 5187

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 9Mb (512K x 18), 클록 주파수: 117MHz,

위시리스트
IS25LQ016B-JMLE-TR

IS25LQ016B-JMLE-TR

부품 재고: 2326

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: FLASH, 과학 기술: FLASH - NOR, 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 클록 주파수: 104MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 1ms,

위시리스트
IS66WVE2M16BLL-70BLI

IS66WVE2M16BLL-70BLI

부품 재고: 4296

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 32Mb (2M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns,

위시리스트
IS61LPS51218B-200TQLI

IS61LPS51218B-200TQLI

부품 재고: 5222

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Synchronous, 메모리 크기: 9Mb (512K x 18), 클록 주파수: 200MHz,

위시리스트
IS43LD16640A-25BL-TR

IS43LD16640A-25BL-TR

부품 재고: 2107

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 400MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS61WV10248EDBLL-10BLI

IS61WV10248EDBLL-10BLI

부품 재고: 5215

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 8Mb (1M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

위시리스트
IS64WV102416BLL-10MA3-TR

IS64WV102416BLL-10MA3-TR

부품 재고: 3803

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: SRAM, 과학 기술: SRAM - Asynchronous, 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns,

위시리스트
IS43LD16640A-3BL

IS43LD16640A-3BL

부품 재고: 2109

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: DRAM, 과학 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2, 메모리 크기: 1Gb (64M x 16), 클록 주파수: 333MHz, 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns,

위시리스트
IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

부품 재고: 2676

메모리 유형: Volatile, 메모리 포맷: PSRAM, 과학 기술: PSRAM (Pseudo SRAM), 메모리 크기: 64Mb (4M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns,

위시리스트