감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Transistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.100" (2.54mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.125" (3.18mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.140" (3.56mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.070" (1.78mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.472" (12mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.100" (2.54mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 20mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.8mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.120" (3.05mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Photodarlington, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V,
감지 거리: 0.165" (4.2mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Transistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
감지 거리: 0.200" (5.08mm), 감지 방법: Transmissive, 출력 구성: Phototransistor, 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V,
