트랜지스터-FET, MOSFET-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 1

HTNFET-D

부품 재고: 199

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

위시리스트

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

부품 재고: 199

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

위시리스트

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

부품 재고: 211

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

위시리스트

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

부품 재고: 199

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

위시리스트