트랜지스터-FET, MOSFET-단일

AOT1N60

부품 재고: 107755

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

AOT20S60L

부품 재고: 22197

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

AOT2500L

부품 재고: 19106

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 152A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT460_002

부품 재고: 2383

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

AON7426_101

부품 재고: 2447

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AOTF8N65_002

부품 재고: 2416

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_003

부품 재고: 6308

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_002

부품 재고: 2379

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF7N60_002

부품 재고: 2412

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N60_002

부품 재고: 2413

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N90_002

부품 재고: 2360

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

부품 재고: 2377

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

부품 재고: 2422

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

부품 재고: 6258

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

부품 재고: 2409

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

부품 재고: 2425

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

부품 재고: 2433

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

부품 재고: 2390

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

부품 재고: 2400

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

부품 재고: 2420

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

부품 재고: 2362

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

부품 재고: 2357

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

부품 재고: 2379

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

부품 재고: 6321

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

부품 재고: 2389

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

부품 재고: 2354

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

부품 재고: 2332

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

부품 재고: 2334

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

부품 재고: 2351

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

부품 재고: 2369

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

부품 재고: 2366

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta), 20A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

부품 재고: 2402

AON7403L

부품 재고: 2348

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta), 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

부품 재고: 5641

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 26A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

부품 재고: 5685

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 20A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

부품 재고: 2394

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 65A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,