구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 50V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1.5V,
구동 구성: High-Side or Low-Side, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 6, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: Half-Bridge, 채널 유형: Independent, 드라이버 수: 2, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 5.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V,
구동 구성: High-Side, 채널 유형: 3-Phase, 드라이버 수: 3, 게이트 유형: N-Channel MOSFET, 전압-공급: 4.5V ~ 50V, 논리 전압-VIL, VIH: 0.4V, 0.7V,
