코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 16.25mm, 초기 투자율 (µi): TX 29 x 19 x 7.6,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 22.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 22 x 14 x 13,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 12.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.1 x 4.8,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 42 x 33 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 100 x 60 x 28,
코어 유형: EFD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 52.55mm, 초기 투자율 (µi): TX 51 x 32 x 19,
코어 유형: U, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): U 126 x 91 x 20,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: EQ, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EQ 25 x LP,
코어 유형: PLT, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C11, 유효 투과성 (µe): 107.00mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: PLT, 초기 투자율 (µi): PLT 58 x 38 x 4,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 25.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 25 x 15 x 10,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 63.00mm,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 16 x 12 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 36 x 21 x 12,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 4.435µH, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EP 20,
