코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 35 x 21 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±4%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 2.5 x 6,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±4%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±6%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±4%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 20,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 16.25mm, 초기 투자율 (µi): TX 29 x 19 x 7.6,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 1.50mm, 초기 투자율 (µi): ROD 1.5 x 100,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 71 x 33 x 32,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 12.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.1 x 4.8,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 43.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 42 x 26 x 13,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 39.80mm, 초기 투자율 (µi): TX 39 x 20 x 13,