기억 | 집적 회로 (IC) | 4

MR4A08BCMA35

부품 재고: 2109

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35

부품 재고: 2272

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35R

부품 재고: 2946

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35

부품 재고: 2131

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35

부품 재고: 2120

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35

부품 재고: 2128

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35

부품 재고: 2205

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35R

부품 재고: 2969

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35R

부품 재고: 3209

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35R

부품 재고: 2941

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35R

부품 재고: 3193

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35R

부품 재고: 2936

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35

부품 재고: 2288

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDF

부품 재고: 4036

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 클록 주파수: 40MHz,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BYS35

부품 재고: 2220

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (2M x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35

부품 재고: 2698

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35

부품 재고: 2651

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35

부품 재고: 3023

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35

부품 재고: 3047

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35R

부품 재고: 3824

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35

부품 재고: 3049

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35R

부품 재고: 3172

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 16Mb (1M x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35

부품 재고: 3074

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35

부품 재고: 3343

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDFR

부품 재고: 5891

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 클록 주파수: 40MHz,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35R

부품 재고: 3635

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35

부품 재고: 3314

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35R

부품 재고: 3625

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35R

부품 재고: 4676

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35

부품 재고: 3300

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35R

부품 재고: 4722

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35R

부품 재고: 4344

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35R

부품 재고: 4318

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35

부품 재고: 3373

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35

부품 재고: 4378

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (512K x 8), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35R

부품 재고: 3774

메모리 유형: Non-Volatile, 메모리 포맷: RAM, 과학 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM), 메모리 크기: 4Mb (256K x 16), 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns,

위시리스트