FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 0.5nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, 전류 드레인 (Id)-최대: 250pA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 500pA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA,
FET 유형: P-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA,
FET 유형: N-Channel, 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V, 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA,